Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.94€ | 7.19€ |
2 - 2 | 5.65€ | 6.84€ |
3 - 4 | 5.35€ | 6.47€ |
5 - 9 | 5.05€ | 6.11€ |
10 - 19 | 4.93€ | 5.97€ |
20 - 23 | 4.82€ | 5.83€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.94€ | 7.19€ |
2 - 2 | 5.65€ | 6.84€ |
3 - 4 | 5.35€ | 6.47€ |
5 - 9 | 5.05€ | 6.11€ |
10 - 19 | 4.93€ | 5.97€ |
20 - 23 | 4.82€ | 5.83€ |
Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V - IHW20N135R3. Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3. Tensión colector/emisor Vceo: 1350V. C(pulg): 1500pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Inductive?cooking. Corriente del colector: 40A. Ic (pulso): 60A. Marcado en la caja: H20R1353. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 405 ns. Td(encendido): 335 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 22:25.
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