Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 8.74€ | 10.58€ |
2 - 2 | 8.30€ | 10.04€ |
3 - 4 | 7.86€ | 9.51€ |
5 - 9 | 7.43€ | 8.99€ |
10 - 19 | 7.25€ | 8.77€ |
20 - 29 | 7.08€ | 8.57€ |
30 - 156 | 6.81€ | 8.24€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.74€ | 10.58€ |
2 - 2 | 8.30€ | 10.04€ |
3 - 4 | 7.86€ | 9.51€ |
5 - 9 | 7.43€ | 8.99€ |
10 - 19 | 7.25€ | 8.77€ |
20 - 29 | 7.08€ | 8.57€ |
30 - 156 | 6.81€ | 8.24€ |
Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60H3. Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 116pF. Costo): 2960pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Tensión umbral del diodo: 1.65V. Función: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corriente del colector: 100A. Ic (pulso): 200A. Marcado en la caja: K50H603. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 333W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 235 ns. Td(encendido): 23 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.
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