Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.37€ | 2.87€ |
5 - 9 | 2.25€ | 2.72€ |
10 - 24 | 2.13€ | 2.58€ |
25 - 49 | 2.01€ | 2.43€ |
50 - 99 | 1.96€ | 2.37€ |
100 - 109 | 1.80€ | 2.18€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.37€ | 2.87€ |
5 - 9 | 2.25€ | 2.72€ |
10 - 24 | 2.13€ | 2.58€ |
25 - 49 | 2.01€ | 2.43€ |
50 - 99 | 1.96€ | 2.37€ |
100 - 109 | 1.80€ | 2.18€ |
Transistor de canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404. Transistor de canal N, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 162A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.5m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 7360pF. Costo): 1680pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 650A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.
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