Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF3205. Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de proceso avanzada . Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.