Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF5210S

Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF5210S. Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2860pF. Costo): 800pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 140A. DI (T=100°C): 24A. IDss (mín.): 50uA. Marcado en la caja: F5210S. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.8W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.