Transistor de canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

Transistor de canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. Transistor de canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. RoHS: sí. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MESH OVERLAY MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. C(pulg): 540pF. Costo): 90pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta corriente. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 08:25.