Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630

Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630. Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 50, 200V, 9A, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): 50. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.35 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF630. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 15 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 540pF. Disipación máxima Ptot [W]: 75W. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MESH OVERLAY MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.