Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103

Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103. Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Función: 2xN-CH 50V. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Cantidad por caja: 2. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.