Transistor de canal N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF820

Transistor de canal N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRF820. Transistor de canal N, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 1.6A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. Costo): 92pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 8A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 33 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. C(pulg): 360pF. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.