Transistor de canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9520N

Transistor de canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9520N. Transistor de canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 350pF. Costo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.48 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 28 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.