Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9610

Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9610. Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 170pF. Costo): 50pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 7A. DI (T=100°C): 1A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 10 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 18/06/2025, 10:25.