Transistor de canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9640

Transistor de canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9640. Transistor de canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 44A. DI (T=100°C): 6.6A. IDss (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.3 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Potencia: 125W. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.