Transistor de canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z34N

Transistor de canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z34N. Transistor de canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 620pF. Costo): 280pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 04:25.