Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4020

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4020. Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 80m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1200pF. Costo): 91pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Parámetros clave optimizados para audio Clase-D. Identificación (diablillo): 52A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 7.8 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 4.9V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 00:25.