Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V - IRFP048NPBF

Transistor de canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V - IRFP048NPBF
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1 - 4 2.48€ 3.00€
5 - 9 2.35€ 2.84€
10 - 24 2.23€ 2.70€
25 - 49 2.11€ 2.55€
50 - 83 2.06€ 2.49€
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Transistor de canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V - IRFP048NPBF. Transistor de canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1900pF. Costo): 620pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 94 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 210A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 09:25.

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Transistor de canal N, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.018 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2400pF. Costo): 1300pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PowerMOSFET. Identificación (diablillo): 290A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 8.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS
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