Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705

Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705. Transistor de canal N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 880pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 75. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 76 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Unidad de puerta de nivel lógico, conmutación rápida. Spec info: baja resistencia R-on 0,040 ohmios. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.