Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.70€ | 2.06€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.96€ |
10 - 24 | 1.53€ | 1.85€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.75€ |
50 - 99 | 1.41€ | 1.71€ |
100 - 134 | 1.59€ | 1.92€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.70€ | 2.06€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.96€ |
10 - 24 | 1.53€ | 1.85€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.75€ |
50 - 99 | 1.41€ | 1.71€ |
100 - 134 | 1.59€ | 1.92€ |
Transistor de canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR3705ZPBF. Transistor de canal N, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2900pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 21ms. Tipo de transistor: MOSFET. Función: control de puerta por nivel lógico. Identificación (diablillo): 360A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 33 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.
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