Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V - IXTP36N30P

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V - IXTP36N30P
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1 - 1 6.43€ 7.78€
2 - 2 6.11€ 7.39€
3 - 4 5.78€ 6.99€
5 - 9 5.46€ 6.61€
10 - 19 5.33€ 6.45€
20 - 29 5.21€ 6.30€
30 - 110 5.01€ 6.06€
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Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V - IXTP36N30P. Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 22/04/2025, 03:25.

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IXTQ36N30P

IXTQ36N30P

Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C...
IXTQ36N30P
Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
IXTQ36N30P
Transistor de canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 92m Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 300V. C(pulg): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 90A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: PolarHT Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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