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Transistor de canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V - IXTP90N055T2

Transistor de canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V - IXTP90N055T2
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Transistor de canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V - IXTP90N055T2. Transistor de canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 200uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2770pF. Costo): 420pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 2uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 23/04/2025, 16:25.

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IXTP90N055T

IXTP90N055T

Transistor de canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25...
IXTP90N055T
Transistor de canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.066 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2500pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 176W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: TrenchMVTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.066 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2500pF. Costo): 440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: N-Channel Enhancement Mode. Identificación (diablillo): 240A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 176W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 40 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: TrenchMVTM Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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