K6R1008C1D-TC10

K6R1008C1D-TC10. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Circuito integrado de memoria. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TSOP2-32. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 32. Tipo de memoria: Memoria SRAM, acceso al bus paralelo. Familia de circuitos de memoria: K6R. Tamaño de memoria [byte]: 128 KByte. Configuración de memoria: 128K x 8-bit. Señal de reloj máxima (MHz): 10 ns. Tipo de interfaz: Paralelo. Tensión de alimentación mínima (V): +4.5V. Tensión de alimentación máxima (V): +5.5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): 0°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +70°C. Producto original del fabricante Samsung. Cantidad en stock actualizada el 18/06/2025, 18:25.