Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.82€ | 0.99€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.94€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.90€ |
50 - 80 | 0.72€ | 0.87€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.82€ | 0.99€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.94€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.90€ |
50 - 80 | 0.72€ | 0.87€ |
KBU8M. VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 8A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: KBU8M, KBU807. Número de terminales: 4. Paso: 5.08x5.08mm. Dimensiones: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms). Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 20:25.
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