Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - KSD5703. Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 500pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: kHz. Función: Deflexión horizontal de la pantalla en color de alto voltaje . Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(mín.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensión de saturación VCE(sat): 5V. Velocidad: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 14A. Vivienda (según ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensión colector/emisor Vceo: 1500V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Costo): 1.6pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Material semiconductor: silicio. FT: 64kHz. Función: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Fecha de producción: 2014/17. Ganancia máxima de hFE: 8.5. Ganancia mínima de hFE: 6. Ic (pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 62W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(mín.): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 9V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corriente del colector: 10A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PF. Tensión colector/emisor Vceo: 750V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 10. Ganancia mínima de hFE: 5. Ic (pulso): 20A. Marcado en la caja: J6810A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3V. Velocidad: 6V. Cantidad por caja: 1. Función: Conmutación de alta velocidad. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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