Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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MBRS360T3G

MBRS360T3G
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1 - 9 0.60€ 0.73€
10 - 24 0.57€ 0.69€
25 - 49 0.54€ 0.65€
50 - 99 0.51€ 0.62€
100 - 249 0.47€ 0.57€
250 - 499 0.46€ 0.56€
500 - 1148 0.44€ 0.53€
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Conjunto de 1

MBRS360T3G. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 18:25.

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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB...
SS36-E3
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS36-E3
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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MBRS3100T3G

MBRS3100T3G

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 130A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE...
MBRS3100T3G
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 130A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B310. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS3100T3G
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 130A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B310. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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