SS36-E3

SS36-E3. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS36. Equivalentes: SS36-E3/9AT. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Número de terminales: 2. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.