Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005
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1 - 4 1.35€ 1.63€
5 - 9 1.28€ 1.55€
10 - 24 1.21€ 1.46€
25 - 49 1.15€ 1.39€
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Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V - MJE13005. Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Costo): 3pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Función: S-L. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Costo): 80pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 14 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia bipolar. Tf(máx.): 0.7us. Tf(mín.): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corriente del colector: 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Costo): 80pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 14 MHz. Función: conmutación de circuitos. Ganancia máxima de hFE: 40. Ganancia mínima de hFE: 8:1. Ic (pulso): 16A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 80W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor de potencia bipolar. Tf(máx.): 0.7us. Tf(mín.): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 9V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 4A, 400V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Cantidad por caja: 1. Función: alto voltaje, conmutación rápida. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
BUL128D-B
Transistor NPN, 4A, 400V. Corriente del colector: 4A. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Material semiconductor: silicio. Ganancia máxima de hFE: 32. Ganancia mínima de hFE: 10. Ic (pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.5V. Cantidad por caja: 1. Función: alto voltaje, conmutación rápida. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sí
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