Cantidad (Conjunto de 10) | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.56€ | 0.68€ |
5 - 9 | 0.53€ | 0.64€ |
10 - 24 | 0.50€ | 0.61€ |
25 - 49 | 0.47€ | 0.57€ |
50 - 99 | 0.44€ | 0.53€ |
100 - 120 | 0.42€ | 0.51€ |
Cantidad (Conjunto de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.56€ | 0.68€ |
5 - 9 | 0.53€ | 0.64€ |
10 - 24 | 0.50€ | 0.61€ |
25 - 49 | 0.47€ | 0.57€ |
50 - 99 | 0.44€ | 0.53€ |
100 - 120 | 0.42€ | 0.51€ |
Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - MMBT4403LT1G. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 3000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Marcado en la caja: 2T. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.
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