Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L
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1 - 4 1.56€ 1.89€
5 - 9 1.48€ 1.79€
10 - 24 1.40€ 1.69€
25 - 49 1.32€ 1.60€
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Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - NDB6030L. Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora del nivel lógico. Identificación (diablillo): 156A. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Field Effect Power MOSFET. Cantidad por caja: 1. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 19:25.

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SPB56N03L

SPB56N03L

Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (...
SPB56N03L
Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: 56N03L. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SIPMOS Power Transistor. Cantidad por caja: 1
SPB56N03L
Transistor de canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. DI (T=25°C): 56A. Idss (máx.): 56A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET controlado por nivel lógico. Marcado en la caja: 56N03L. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: SIPMOS Power Transistor. Cantidad por caja: 1
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