P6SMB18CAM4G. Corriente de fuga: 1uA. Corriente de pulso Máx.: 25A. Estructura semiconductora: bidireccional. Montaje/instalación: SMD. Potencia: 600W. RoHS: sí. Tensión de ruptura: 18V. Tipo de diodo: TVS. Tolerancia: 5%. Vivienda: SMB, DO214AA. Voltaje inverso máximo: 15.3V. Producto original del fabricante: Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:31