Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83€ | 1.00€ |
5 - 9 | 0.79€ | 0.96€ |
10 - 24 | 0.75€ | 0.91€ |
25 - 32 | 0.70€ | 0.85€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.83€ | 1.00€ |
5 - 9 | 0.79€ | 0.96€ |
10 - 24 | 0.75€ | 0.91€ |
25 - 32 | 0.70€ | 0.85€ |
RG2Y. Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Peso: 0.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 14:25.
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