Transistor de canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4

Transistor de canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4. Transistor de canal N, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensión colector/emisor Vceo: 360V. C(pulg): 85pF. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Función: IGBT. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 250A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 40 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.6V. Tensión puerta/emisor VGE: 30 v. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Producto original del fabricante Renesas Technology. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 04:25.