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Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD

Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 5.43€ 6.57€
2 - 2 5.16€ 6.24€
3 - 4 5.00€ 6.05€
5 - 9 4.89€ 5.92€
10 - 19 4.78€ 5.78€
20 - 29 4.62€ 5.59€
30 - 44 4.45€ 5.38€
Cantidad U.P
1 - 1 5.43€ 6.57€
2 - 2 5.16€ 6.24€
3 - 4 5.00€ 6.05€
5 - 9 4.89€ 5.92€
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Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V - SGH30N60RUFD. Transistor de canal N, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1970pF. Costo): 310pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: IGBT de alta velocidad. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 48A. Ic (pulso): 90A. Marcado en la caja: G30N60RUFD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 235W. RoHS: sí. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 54 ns. Td(encendido): 30 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.2V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 07:25.

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