Transistor de canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4425BDY

Transistor de canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - SI4425BDY. Transistor de canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11.4A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 41ms. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 50A. DI (T=100°C): 9.1A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.01 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 00:25.