Transistor de canal P, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v - SI4925DDY

Transistor de canal P, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v - SI4925DDY. Transistor de canal P, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 7.3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. DI (T=100°C): 5.9A. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.024 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Cantidad por caja: 2. Función: td(on) 10ns, td(off) 45ns. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.