Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores Par de transistores MOSFET N-P

Transistor MOSFET SP8M3

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1 - 4 2.05€ 2.48€
5 - 9 1.94€ 2.35€
10 - 24 1.88€ 2.27€
25 - 49 1.84€ 2.23€
50 - 99 1.80€ 2.18€
100 - 249 1.57€ 1.90€
250 - 462 1.51€ 1.83€
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Transistor MOSFET SP8M3. Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Producto original del fabricante ROHM. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 04:25.

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Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Marcado en la caja: F7319. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P-HEXFET Power MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8
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FDS8958A

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Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8
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Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8
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