Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3

Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3. Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): P-TO220-3-1. Voltaje Vds(máx.): 650V. C(pulg): 2400pF. Costo): 780pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Carga de puerta ultrabaja con clasificación dv/dt extrema . Identificación (diablillo): 62.1A. IDss (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: 20N60C3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 67 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Cool Mos. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminales: 3. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 23:25.