Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V - STP200N4F3

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V - STP200N4F3. Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 5100pF. Costo): 1270pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 67 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación, aplicaciones automotrices. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 480A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 200N4F3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: STripFET™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 02:25.