Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP

Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP
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1 - 4 1.12€ 1.36€
5 - 9 1.06€ 1.28€
10 - 24 1.03€ 1.25€
25 - 49 1.01€ 1.22€
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Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STP3NK60ZFP. Transistor de canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 1.51A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Resistencia en encendido Rds activado: 3.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Zener-Protected. Identificación (diablillo): 9.6A. Pd (disipación de potencia, máx.): 20W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SuperMESH Power MOSFET. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 09:25.

Documentación técnica

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STF3NK80Z
Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 485pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F3NK80Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.8 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 485pF. Costo): 57pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 10A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F3NK80Z. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V
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