Transistor de canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V - STP4NB80

Transistor de canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V - STP4NB80. Transistor de canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 700pF. Costo): 95pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Identificación (diablillo): 16A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 29/04/2025, 23:25.