Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP
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1 - 4 2.09€ 2.53€
5 - 9 1.99€ 2.41€
10 - 24 1.92€ 2.32€
25 - 49 1.88€ 2.27€
50 - 99 1.84€ 2.23€
100 - 249 1.78€ 2.15€
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Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP7NK80ZFP. Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1138pF. Costo): 122pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Protección G-S: sí. Identificación (diablillo): 20.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P7NK80ZFP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 12/08/2025, 14:08.

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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.29 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protección G-S: NINCS. Fecha de producción: 201432. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 59W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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