Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP

Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP
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1 - 4 2.93€ 3.55€
5 - 9 2.79€ 3.38€
10 - 24 2.64€ 3.19€
25 - 27 2.49€ 3.01€
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Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V - STP7NK80ZFP. Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Vivienda: TO-220FP. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Identificación (diablillo): 20.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P7NK80ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 5.2A. Número de terminales: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 12:25.

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FQPF8N80C

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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI ...
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Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.29 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Fecha de producción: 201432. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 59W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 65 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Protección G-S: NINCS
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STP8NK80ZFP

STP8NK80ZFP

Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI ...
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STP8NK80ZFP
Transistor de canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1320pF. Costo): 143pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 460 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 24.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P8NK80ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Transistor MOSFET de potencia protegido por Zener. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
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