Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V - STP80NF70

Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V - STP80NF70
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5 - 9 4.13€ 5.00€
10 - 24 3.92€ 4.74€
25 - 49 3.70€ 4.48€
50 - 77 3.41€ 4.13€
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Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V - STP80NF70. Transistor de canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. DI (T=100°C): 68A. DI (T=25°C): 98A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0098 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 68V. C(pulg): 2550pF. Costo): 550pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 392A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 80NF70. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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