Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 14.85€ | 17.97€ |
2 - 2 | 14.11€ | 17.07€ |
3 - 4 | 13.81€ | 16.71€ |
5 - 9 | 13.36€ | 16.17€ |
10 - 14 | 13.07€ | 15.81€ |
15 - 19 | 12.62€ | 15.27€ |
20+ | 12.18€ | 14.74€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 14.85€ | 17.97€ |
2 - 2 | 14.11€ | 17.07€ |
3 - 4 | 13.81€ | 16.71€ |
5 - 9 | 13.36€ | 16.17€ |
10 - 14 | 13.07€ | 15.81€ |
15 - 19 | 12.62€ | 15.27€ |
20+ | 12.18€ | 14.74€ |
Transistor de canal N, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW43NM60ND. Transistor de canal N, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4300pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Capacitancia de entrada baja y carga de puerta. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 43NM60ND. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 255W. RoHS: sí. Spec info: Baja resistencia de entrada de puerta. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: MDmesh II. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 04/07/2025, 06:25.
Información y ayuda técnica.
Pago y entrega
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.