Transistor de canal N 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Función: High Speed, tr--25nS tf--20nS. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 27A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS II.5. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03