Transistor de canal N 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2040pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 190pF. Diodo Trr (Mín.): 1.6us. Función: High Speed, H.V. Identificación (diablillo): 27A. Marcado en la caja: K2611. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 95 ns. Td(encendido): 60 ns. Tecnología: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31