Transistor de canal N STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 1000V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 3500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 270pF. Diodo Trr (Mín.): 560 ns. Función: capacidad dv/dt extremadamente alta, aplicaciones de conmutación. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 33.2A. Marcado en la caja: W11NK100Z. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(apagado): 98 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58