Transistor de canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V - 2SK1461

Transistor de canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V - 2SK1461. Transistor de canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.8 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3BP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 700pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET. Identificación (diablillo): 10A. Marcado en la caja: K1461. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 200 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: V-MOS, S-L. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 21:25.