Transistor de canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529

Transistor de canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529. Transistor de canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 180V. C(pulg): 700pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Aplicación de amplificador de alta potencia. Marcado en la caja: K1529. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Tipo MOS de canal N de silicio con efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.8V. Spec info: transistor complementario (par) 2SJ200. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 21:25.