Transistor de canal N 2SK1529, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): 2-16C1B. Voltaje Vds(máx.): 180V. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Función: Aplicación de amplificador de alta potencia. IDss (mín.): -. Marcado en la caja: K1529. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) 2SJ200. Tecnología: Tipo MOS de canal N de silicio con efecto de campo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 2.8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.8V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03