Transistor de canal N 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 300uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.9 Ohms. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 690pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 120pF. Diodo Trr (Mín.): 1450 ns. Función: alta velocidad. Identificación (diablillo): 15A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 70 ns. Tecnología: V-MOS. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 14/11/2025, 01:03