transistor de canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

transistor de canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.97€
5-9
3.65€
10-24
3.41€
25-49
3.21€
50+
2.86€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 2

Transistor de canal N 2SK2632LS, 1.3A, 2.5A, 1mV, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FI-LS, 800V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 1mV. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FI-LS. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 550pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Diodo de germanio: no. Función: Ultrahigh-Speed Switching Applications. IDss (mín.): -. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: V-MOS (F). Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 5.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:31

Documentación técnica (PDF)
2SK2632LS
24 parámetros
DI (T=100°C)
1.3A
DI (T=25°C)
2.5A
Idss (máx.)
1mV
Resistencia en encendido Rds activado
3.6 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220FI-LS
Voltaje Vds(máx.)
800V
C(pulg)
550pF
Cantidad por caja
1
Costo)
150pF
Diodo de germanio
no
Función
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
25W
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
45 ns
Td(encendido)
15 ns
Tecnología
V-MOS (F)
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.
5.5V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
3.5V
Producto original del fabricante
Sanyo

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