Transistor de canal N STP4NB80FP, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 95pF. Diodo Trr (Mín.): 600 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 16A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: PowerMESH MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:24