Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645

Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645
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10 - 24 3.24€ 3.92€
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Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645. Transistor de canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 900pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10nA. Marcado en la caja: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 60 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura de funcionamiento: -...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 21:25.

Documentación técnica

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Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.)...
2SK1507
Transistor de canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1200pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 27A. IDss (mín.): 10uA. Marcado en la caja: K1507. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 160 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: F-II Series POWER MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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